STM32F103 ucLinux开发之四(内核启动后的调试)
Stm32-uclinux启动后的调试
1、 修改__pfn_to_page使得能够启动
根据STM32F103 ucLinux开发之三(内核启动后不正常)的描述,内核无法启动是选择了平板内存模式后,下面两个宏定义,导致计算错误,从而Backtrace的。
#define __pfn_to_page(pfn) (mem_map + ((pfn) - ARCH_PFN_OFFSET))
#define __page_to_pfn(page) ((unsigned long)((page) - mem_map) + \
ARCH_PFN_OFFSET)
以上两个宏中用到的ARCH_PFN_OFFSET ->
#define ARCH_PFN_OFFSET PHYS_PFN_OFFSET ->
#define PHYS_PFN_OFFSET (PHYS_OFFSET >> PAGE_SHIFT) ->
#define PAGE_SHIFT 12,
#define PHYS_OFFSET (CONFIG_DRAM_BASE)
#define CONFIG_DRAM_BASE 0x20000000
经过这样一番推算,确实是0x2000 0
根据内存的分配,我修改这里,改为下面的:
#define __pfn_to_page(pfn) (mem_map + ((pfn) - 0x68000))
#define __page_to_pfn(page) ((unsigned long)((page) - mem_map) + \
0x68000)
这样,运行在片内FLASH的内核,运行在片外NorFlash的内核都可以正常启动了。
2、 微内核制作文件initramfs
微内核运行在片内的FLASH中,其中编译好的xipImage,里面包含一个压缩的cpio格式的initrd,这个initrd占据了一段空间,这样内核不能添加其它模块,而initrd也限制了大小,有必要将内核和initrd分离。
initramfs_data.cpio.gz与内核分离,放在片外的norflash,在populate_rootfs函数,解压initramfs_data.cpio.gz,实际是解压initrd_start开头的内容,挂载根文件,这样与Android的启动非常类似。需要做的修改:
修改1:\init\initramfs.c
//if (err)
//panic(err);
此处解压会出错,err返回一个大于0的数值,所以先注释掉。
修改2:原来编译busybox后,生成的 initramfs-filelist 文件,每次编译都会重新生成。将这个文件减少为4行,创建/ /dev /rooot /dev/console四个;
在vendors/STMicroelectronics/STM3210E-EVAL-MCU_Flash/gen-initramfs-filelist.sh文件中,除了第一行外,用if [0]; then限制,这样每次整个编译的时候,就不会修改内核目录linux-2.6.x下面的initramfs-filelist文件了
修改3:boot中的参数添加initrd=0x64200000,128K(暂定起始地址是0x6420 0000,大小是128K)。
initramfs_data.cpio.gz的解压与制作
解压缩:
gunzip initramfs_data.cpio.gz
mkdir temp
cd temp
cpio -i -F ../initramfs_data.cpio.gz --no-absolute-filename //千万要加后面的--no-absolute-filename,不然虚拟机会处问题
重新压缩打包:
cd romfs/
find . | cpio -o -H newc | gzip > ../initramfs_data.cpio.gz
3、 Busybox单独编译
原始编译过程中,busybox跟着一起编译,但是提供的命令非常有限,要添加命令,就需要单独编译busybox。需要做的修改:
修改1:编译命令为:
Make ARCH=arm CROSS_COMPILE=/root/CodeSourcery/Sourcery_G++_Lite/bin/arm-uclinuxeabi- ROOTDIR=/opt/stm32uclinux/uClinux-dist/
修改2:Makefile中修改CC等,加入CPUFLAG
CPUFLAGS := -march=armv7-m -mthumb
CC = $(CROSS_COMPILE)gcc $(CPUFLAGS)
AS = $(CROSS_COMPILE)as $(CPUFLAGS)
CXX = $(CROSS_COMPILE)g++ $(CPUFLAGS)
AR = $(CROSS_COMPILE)ar
LD = $(CROSS_COMPILE)ld $(CPULDFLAGS)
OBJCOPY = $(CROSS_COMPILE)objcopy
RANLIB = $(CROSS_COMPILE)ranlib
ELF2FLT = elf2flt
STRIPTOOL = $(CROSS_COMPILE)strip
STRIP = $(STRIPTOOL)
4、 jfss2文件系统制作
运行在片外NorFlash的内核,挂载了jfss2格式的文件系统,而这个文件系统是只读的,调试应用程序的时候,就需要重新生成这样的文件系统,然后下载到norflash中。
假设当前目录下,包含romfs、原始的device.tab,则执行下面的命令,会生成rootfs.img.bin
/opt/stm32uclinux/uClinux-dist/user/mtd-utils/build/mkfs.jffs2 -D device.tab -o rootfs.img.bin -q -x rtime -x zlib -d romfs/
5、 如何调试,在片外SRAM运行,省去每次写Flash操作
无论是运行在片内、还是片外,每次少些内核都需要擦除和写入FLASH,这个时间比较长,不利于调试程序。而开发板有网口,可以在boot支持tftp下载,将内核下载到片外的SRAM中,然后boot跳转到SRAM中执行内核。
5.1 修改内核编译启动地址,让其在SRAM内运行
如下图所示,修改内核启动后的执行地址为0x6800 1000,让出前面4K的空间,用于存放boot参数信息等。
还要修改arch\arm\kernel\vmlinux.lds.S文件中,原来如下面所示,这样将数据段编译到了0x2000 0000开头的地方。
_etext = .; /* End of text and rodata section */
#ifdef CONFIG_XIP_KERNEL
__data_loc = ALIGN(4); /* location in binary */
. = PAGE_OFFSET + TEXT_OFFSET;
#else
. = ALIGN(THREAD_SIZE);
__data_loc = .;
#endif
修改为下面这样的,这样数据段,就会更在内核代码段的后面,所有的内容都编译了片外SRAM。
_etext = .; /* End of text and rodata section */
#ifdef CONFIG_XIP_KERNEL
. = ALIGN(THREAD_SIZE);
__data_loc = .;
#else
. = ALIGN(THREAD_SIZE);
__data_loc = .;
#endif
5.2 无法运行时,修改中断向量位置
按照5.1那样,编译出来的中断向量也防止到片外。在arch\arm\mm\proc-v7m.S的__v7m_setup段,原来是下面所示,将中断向量的位置写入向量表基址寄存器,而内核编译到片外以后,这个地址vector_table也在片外。Stm32f103的中断向量不能防止到片外,这里需要修改。
@ Configure the vector table base address
ldr r0, =0xe000ed08 @ vector table base address
ldr r12, =vector_table
str r12, [r0]
修改为下面这样,将编译好的中断向量表的内容复制到0x20008000开始的地方,然后将0x20008000设置到向量表基址寄存器。
ldr r0, =vector_table
ldr r5, =0x20008000
Add r6, r0, #0x120
1: ldr r12, [r0], #4
str r12, [r5], #4
cmp r0, r6
bne 1b
@ Configure the vector table base address
ldr r0, =0xe000ed08 @ vector table base address
ldr r12, =0x20008000
str r12, [r0]
5.3 修改norFlash文件系统分区,使得自行编译过的busybox文件系统可以运行
在drivers\mtd\maps\stm3210e_eval_mtd_map.c文件中,调整分区,如下所示。
static struct mtd_partition stm3210e_eval_flash_partitions [] = {
{
.name = "Kernel raw data",
.offset = 0,
.size = 0x00100000,
.mask_flags = MTD_WRITEABLE, /* force read-only */
},
{
.name = "rootfs",
.offset = 0x00100000,
.size = 0x00C00000,
},
{
.name = "rawdata",
.offset = 0x00D00000,
.size = 0x30000,/* MTDPART_SIZ_FULL will expand to the end of the flash */
},
{
.name = "cramfs_partition",
.offset = 0x00D30000,
.size = 0x30000,/* MTDPART_SIZ_FULL will expand to the end of the flash */
},
};
将文件系统的大小由原来的384K,调整为12M,其它分区大小不变,位置需要跟着调整。
6、 三种方式运行速率
采用第5部分调试后,内核运行在了片外SRAM中。跟运行在片内Flash,片外的norflash中相比,速率有明显的差异,以BogoMIPS为比较,如下面所示。
片内: 164864 32.97 基本准确,时钟是72M
片外SRAM: 9280 1.85
片外norflash: 4096 0.81
系统时钟是72M,所以运行在片内FLASH是正常的,而其它两个位置,速率都非常的慢,系统变得异常了。考虑到应用程序最终要运行在片外的SRAM中,而系统运行这么慢,所以这种方式不适合ucLinux开发,不再尝试了。下面给出一个异常的例子。
7、 串口的过载
微内核运行在片内的Flash中,initramfs启动后,在超级终端上输入命令,可以看到输出,然后点击PC键盘上的向上箭头,可以看到上一条输入的命令。
而无论运行在片外SRAM,还是norflash,挂载文件系统后,点击PC键盘上的向上箭头,都会打印出ttySA0 input overrun(s),意思就是传开口过载了。
跟踪程序发现,就是串口收到的字符没有来得及读取完毕,下一个字符有到来了,这样就会出现过载。而点击PC键盘上的向上箭头,串口会连续收到0x1B 5B 41 ,3个字节的数据。运行在片外SRM或者norflash中,系统缓慢到,连串口的3个字节数据都处理不了,其它的外设也许也会出现异常。
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